GTO-snubberkondensator i kraftelektronik

Kort beskrivning:

Snubberkretsar är väsentliga för dioder som används i omkopplingskretsar.Det kan rädda en diod från överspänningsspikar, som kan uppstå under den omvända återställningsprocessen.

Skicka e-post till oss Ladda ner som PDF

Produktdetalj

Produkttaggar

Teknisk data

Drifttemperaturens omfång	Max. Drifttemperatur.,Topp,max: + 85℃ Övre kategoritemperatur: +85℃Lägre kategoritemperatur: -40℃
kapacitansintervall	0,22–3 μF
Märkspänning	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5 %(J); ±10 %(K)
Motstå ström	1.35Un DC/10S
Förlustfaktor	tgδ≤0,001 f=1KHz
Isoleringsresistans	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (vid 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (vid 20℃ 100V.DC 60S)
Tål slagström	se datablad
Förväntad livslängd	100 000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Referensstandard	IEC 61071;

Funktion

1. Mylartejp, förseglad med harts;

2. Kopparmutterledningar;

3. Motstånd mot hög spänning, låg tgδ, låg temperaturökning;

4. låg ESL och ESR;

5. Hög pulsström.

Ansökan

1. GTO Snubber.

2. Används ofta i makt elektronisk utrustning när toppspänning, toppström absorption skydd.

Typisk krets

Konturritning

Specifikation

Un=3000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapacitans (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	IPK(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70